荷兰服务器官网，渤海石油研究院是做什么的？
渤海石油研究院始建于1973年,伴随着中国海洋石油事业的发展而成长,为渤海海域的勘探?开发和生产研究提供全方位的技术支持,现已成为集技术密集?专业配套?设备先进?人员素质较高的能参与国际市场竞争的勘探开发科研生产研究实体? 近年经历研究体制改革与用工薪酬制度两次改革后,该院现有员工227人,其中从事石油地质?油藏工程?地球物理?岩石物理?有机地化?实验技术?计算机应用与开发等十多个专业工作的高级工程师(地质师)43名?硕士27名?本科58名?使用并维护着 SGI3400?SGI2100等多种CPU服务器,SGI OCTANE2,SUN BLADE1000高端工作站20余套及大型彩色绘图仪等硬件设备及GEOQUEST?LANDMARK?PARADIGM等勘探开发系列软件?可从事地质综合分析,二维?三维地震资料综合解释,地质油藏建模,油藏数值模拟,油藏工程评价,测井处理与解释,多井分析?试井分析等研究项目,并具有大型通用数据库系统。 建院三十年来,该院开展了近600个科研项目和专题的研究,有350多项获得国家?部委?总公司和公司级奖励,其中《辽东湾海域油气资源评价及含油气区的重大发现》?《渤海海域上第三系大油田群的发现》等项目获国家科技进步二等奖;《渤海西部近期油气体系勘探研究与实践》获国家科技进步三等奖;《渤海石油地质特点及油气聚集方向的基本认识》等3个项目获部级一等奖;《锦州9-3油田储量报告》和《秦皇岛32-6油田油气储量报告》获国家储委一等奖?先后发现油气田23个?含油构造54个,其中储量上亿吨级油田10个,获得原油地质储量近30亿吨,天然气1000余亿方。 该院实验室是中海石油成立最早的实验室,并按照JJG1021-90《产品质量检验机构计量认证技术考核规范》建立起一套科学的分析测试质量保证体系,1995年取得国家技术监督局的计量认证合格证,2000年通过国家计量认证复审,2003年通过国家计量认证监督增项评审等,是中海石油唯一一家取得国家级认证的实验室。 该院信息档案室是企业档案管理国家二级单位,拥有渤海盆地自二十世纪60年代以来区域勘探?油田开发的所有资料,以及部分邻区地质资料共约30余万册,为科研生产提供着丰富的信息。 该院在渤海石油勘探开发的实践和与外国石油公司合作与承包作业中建设了一支基础理论扎实?实践经验丰富的科研队伍,具备了“陆相沉积储层研究”等15项应对海上复杂油气田勘探开发研究的成熟技术,并形成了一套具有海上特点的,按照国际先进标准进行作业的勘探开发研究新技术新方法?同时该院致力于对外勘探开发的合作研究,先后与日本?美国?英国?法国?荷兰等国的20多家公司进行了合作研究和承包作业,赢得了信誉?该院形成了具有科研特色的企业文化,牢固树立了“崇尚科学?严谨求实?积极进取?争创一流”的企业理念,2002年在中国海洋石油总公司成立20周年庆典上,荣获了全国海洋石油工业先进集体称号?渤海石油研究院将一如既往与海内外同行结成忠实的合作伙伴,共谋发展,共创辉煌。
中芯国际已经有了制造7nm的光刻机？
中芯国际是用DUV光刻机和自研的N+1技术实现了准7nm芯片制造。这在当前芯片产业中，并不会有多大影响，对华为芯片制造也没有太多帮助。详细原因如下：
在芯片产业中，5nm和7nm芯片制造基本都是采用EUV极紫外光刻机。而中芯国际并没有EUV光刻机，手上只有193nm波长的DUV光刻机。本来向荷兰ASML订购了一台EUV光刻机，因为美国阻拦最后没有交货。所以，中芯国际被迫采用原来的DUV光刻机，加上自研的N+1来制造准7nm芯片。既然是准7nm，就是还没有完全达到7nm标准。这已经和市面上台积电、三星的7nm就有差距了，更不用说他们的5nm芯片制造工艺了。
就算把中芯国际的准7nm和市面上的7nm划上等号。中芯国际因为没有EUV光刻机，制造流程会更复杂几倍。我们可以来拿EUV和DUV光刻机对比一下用：
用EUV光刻机制造：EUV光刻机可以发射13.5nm波长激光，曝光精度可以控制在14nm。如果用早期的平面型MOSFET工艺，也就只能做14nm的芯片。但是，如果采用现在Finfet鳍式场效应晶体管，可以轻松实现5nm工艺制造，而且只需要简单几个步骤就能完成。如果工艺进行提升，也就是中间多几道控制，还可以实现3nm、2nm等的芯片生产。用DUV光刻机制造：中芯国际手上的DUV光刻机应该是193nm的浸润式光刻机，光波长193nm，和EUV相差太大，但可以通过双波长干涉、大数值孔径曝光系统、光刻胶缩小曝光波长，多次曝光等等该技术使DUV光刻机可以生产14nm的芯片。而中芯国际也正是在上述的技术中进行了优化，使得现有DUV可以生产准7nm芯片。然而，工序就比EUV多了非常多，复杂度自然就更复杂。良品率也变得没那么好控制。基于以上对比，中芯国际的N+1技术生产的准7nm芯片，性能上依然没法和市面EUV生产的真正7nm相比。但因为不用昂贵的EUV光刻机，这个准7nm芯片还可以打着价格优势卖一卖。属于一个无奈的过度产品，要想跟上芯片制造技术，还得使用EUV光刻机。
2、中芯国际的准7nm对华为芯片制造也帮不上忙很多人会想，中芯国际的准7nm虽然比不上台积电，但自己用来帮助华为度过难关，可以吗？理论上好像可以，但事实上，并帮不上忙。原因有三个：
DUV光刻机依然有美国技术：按照美国的极限施压条款，只要有用到美国技术的工具都不可以为华为生产芯片。这样一来，中芯国际也变得无可奈何。谁叫我们光刻机被人卡脖子呢，我们自主的上海微电子的光刻机只能生产90nm的芯片，相差甚远。准7nm的芯片没有太多竞争力：现在中低端手机都用的真正7nm芯片，高端手机都用5nm芯片了。所以，退一万步讲，中芯国际冒死为华为生产，竞争力不高也没有多大意义。准7nm芯片制造产能也很有限：很难满足消耗量极大的手机芯片需要。所以，中芯国际的准7nm制造工艺，根本上也帮不上华为，也改变不了芯片产业任何东西。
总结中芯国际虽然很努力，用DUV光刻机结合自研的N+1技术生产出了准7nm芯片。但对于目前芯片产业来说，只能算是追近了一小步，对市场不会造成什么太大影响。对华为的困局也没有太大帮助。要改变现状，最好的办法，还是要有自己的EUV光刻机。
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芯片里的单位纳米是什么意思？
芯片的本质就是将大规模的集成电路小型化，并且封装在方寸之间的空间内。
英特尔10nm一个单位占面积54*44nm，每平方毫米1.008亿个晶体管。nm（纳米）跟厘米、分米、米一样是长度的度量单位，1纳米等于10的负9次方米。1纳米相当于4倍原子大小，是一根头发丝直径的10万分之一，比单个细菌（5微米）长度还要小得多。
芯片制造的过程就如同房子一样，先由晶圆作为地基，再层层往上堆叠电路和晶体管，完成所期望的造型。
芯片有各式各样封装形式
芯片封装最初定义是保护芯片免受周围环境的影响，包括来自物理、化学方面的影响。如今的芯片封装，是指安装半导体集成电路芯片用的外壳，起着安放、固定、密封、保护芯片和增强电热性能的作用，是沟通芯片内部世界与外部电路的桥梁（芯片上的接点用导线连接到封装外壳的引脚上，这些引脚又通过印制板上的导线与其他器件建立连接）。
芯片的工艺制程nm数越小代表越先进根据国际半导体技术蓝图（ITRS）的规定，我们常所说的芯片14nm、12nm、10mm、7nm就是用来描述半导体制程工艺的节点代数，通常以晶体管的半节距（half-pitch）或栅极长度（gatelength）等特征尺寸来表示，以衡量集成电路工艺水平。
在不同半导体元件上，所描述的对象是不一样的，比如:在DRAM芯片中，描述的是在DRAM单元中两条金属线间最小允许间距Pitch值的一半长度Half-Pitch半节距长度；而用在CPU上时，描述的则是CPU晶体管中栅极的长度。
在电子显微镜下，32nm和22nm晶体管
但栅极长度并不代表一切，栅极之间的距离和内连接间距也是决定性能的关键要素，这两个距离决定了单位面积内晶体管的数量。
从晶体管密度来看，2014 年发布的英特尔14nm节点为每平方毫米3750万个晶体管，略低于台积电每平方毫米4800万及三星每平方毫米5100万水平。英特尔10nm节点晶体管密度为每平方毫米1.008亿个，三星7nm节点为每平方毫米1.0123亿，基本持平；台积电宣称初代7nm节点晶体管密度为16nm节点的约3倍、10nm节点的1.6倍，由此推算每平方毫米约8000万个晶体管，略低于英特尔10nm节点水平；而 2019 年台积电采用 EUV 工艺的 N7+节点也有望量产，晶体管密度提升20%，由此计算晶体管密度达到每平方毫米 1 亿个左右水平，将与英特尔、三星 2019 年量产工艺基本一致。
工艺制程的进步可以提高芯片的性能
性能的提高具体包括了三个方面：规模增大、频率提高、功耗下降。
规模对应的工艺指标主要包括晶体管密度、栅极间距、最小金属间距等。频率和功耗对应指标主要包括栅极长度、鳍片高度等。晶体管密度提高，可以扩大芯片的晶体管规模，增加并行工作的单元或核心，或者缩小芯片面积，提高良率并降低单位成本。
栅极长度越小，可使芯片的频率提高或者功耗下降。栅极长度缩小（或者沟道长度缩小）使得源极与漏极之间距离缩小，电子仅需流动较短的距离就能够运行，从而可以增加晶体管开关切换频率，提升芯片工作频率；另一方面，栅极长度缩小、电子流动距离减小可以减低内阻，降低所需导通电压，芯片工作电压降低，在相同工作频率下电压下降带来功耗降低（动态功耗 P=C*V^2*f，功耗与电压的平方、频率成正比）。
芯片频率的提高与功耗下降两个目标此消彼长，不可兼得。
晶体管的功耗包括静态功耗及动态功耗两部分。
静态功耗是电路稳定时的功耗，即常规的电压乘电流；动态功耗指电容充放电功耗和短路功耗，即晶体管在做 1 和 0 的相互转换时会根据转换频率的高低产生不同大小的功耗；根据登德尔缩放比例定律，晶体管面积的缩小使得其所消耗的电压以及电流会以差不多相同的比例缩小。
比如：晶体管的大小减半，静态功耗将会降至四分之一（电压电流同时减半）。
在产业初期根据登纳德缩放比例，设计者可以大大地提高芯片的时钟频率，因为提高频率所带来的更多的动态功耗会和减小的静态功耗相抵消。
大概在 2005 年之后，漏电现象的出现打破了原先登纳德所提出的定律，使得晶体管在往更小工艺制作时候的静态功耗不减反增，同时也带来了很大的热能转换，使得芯片的散热成为了急需解决的问题。
因而芯片已无法继续在增加频率的同时降低总体功耗，根据动态功耗 P=C*V^2*f 可以得出，频率提高与功耗下降两个目标的关系是此消彼长的，需要根据芯片设计可以在两者之间寻求平衡。
在栅极长度（或沟道长度）缩小到一定程度后，就很容易产生量子隧穿效应，会产生较大的电流泄漏问题。所以才出现FinFET即鳍式场效应晶体管技术，晶体管从2D平面结构进入3D鳍式结构，提高鳍片高度（FinHeight），可以减少漏电的发生，进一步提高性能或降低功耗。在FinFET结构中，三个表面被栅极围绕，能有效控制泄漏。提高鳍片高度，栅极对电流的控制能力更强，可控性的提高使得栅极能够使用更低的电压来切换开关，使用更少能量即可以开启/关闭。同时电子在三个表面流动，增加了流动电子量，进一步提高了性能。
持续提高芯片性能是先进制程的核心追求
历年先进制程均率先应用于旗舰级智能手机AP或计算机CPU等。手机主芯片通常采用最先进两代工艺打造，旗舰手机主芯片走在制程前沿，最先进制程推出后即开始采用，新制程出现后向下转移，而中低端手机主芯片通常采用次顶级制程打造。
目前7nm及10nm主要应用包括高端手机AP/SoC、个人电脑及服务器CPU、矿机ASIC 等。14nm主要应用包括中高端手机AP/SoC、显卡GPU、FPGA 等。较为成熟的28nm 节点主要应用包括中低端手机、平板、机顶盒、路由器等主芯片。
先进制程竞争已成为影响芯片决定因素工艺提升对于芯片性能提升影响明显。工艺提升带来的作用有频率提升以及架构优化两个方面。一方面，工艺的提升与频率紧密相连，使得芯片主频得以提升；另一方面工艺提升带来晶体管规模的提升，从而支持更加复杂的微架构或核心，带来架构的提升。
随着制程节点进步，可以发现频率随工艺增长的斜率已经减缓，由于登德尔缩放定律的失效以及随之而来的散热问题，单纯持续提高芯片时钟频率变得不再现实，厂商也逐渐转而向低频多核架构的研究。
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战舰世界hl系是哪个国家？
荷兰。
在战舰世界的国服服务器中，所有战舰派系科技树分支都会进行缩写，通过对比国际服科技树可以看到HL系其实就是代表荷兰系。
萨卡什维利已经返回乌克兰？
据海外网30日援引俄罗斯卫星网的消息，在泽林斯基5月28日恢复萨卡什维利的乌克兰国籍后，萨卡什维利已经于29日回到了乌克兰。泽林斯基上任乌克兰总统仅仅10天，但其执政风格却已初露端倪。宣誓就任总统当天他就勒令政府部长们主动辞职，并要求解散议会，提前举行议会选举。紧接着他提出了优先解决顿巴斯分裂问题的方案,宣战寡头经济和寡头政治，并发誓要惩治腐败,发展经济。总之，泽林斯基的上任三把火给人一种雷厉风行的感觉。其行事风格颇似特朗普。
就像当年嘲讽没有建制派经验的特朗普一样，喜剧演员出身的政治素人也同样不被看好。认为泽林斯基很可能只会做戏中的总统。然而，正像特朗普上任后表现的那样，泽林斯基同样是敢作敢为，绝不拖泥带水。人们常说:“一张白纸好描绘最美的图画”，像特朗普和泽林斯基这样的政治素人，它们不懂“规矩”，往往少了顾忌，也就会无视阻力，反而常常会更容易解决一些看似阻力很大的“沉珂”。
之所以说泽林斯基的行事风格和特朗普相似，源于他们在上任后都以自己在竞选时的承诺为工作推进的方针，不似那些建制派政客还要先稳定一段时间的“局面”。他们直来直去，直奔“竞选承诺”。泽林斯基之所以能够在乌克兰大选中脱颖而出，一是因为泽林斯基在电视剧《人民公仆》中扮演的反腐斗士形象已经深入乌克兰民众之心。二是泽林斯基在竞选时高举反腐大棋，迎合了乌克兰民众对贪腐现象深恶痛绝，并渴望改变的诉求。毫无疑问，肃贪将是泽林斯基执政的重中之重。而恢复素有“跨国政客”之称的萨卡什维利国籍则是泽林斯基准备向贪腐动手的信号。同时也体现了泽林斯基重视承诺的个人特质。
竞选期间，在回应萨卡什维利的呼吁时，泽林斯基曾明确表态，一旦他当选，将恢复萨卡什维利的乌克兰国籍，并承诺说，如果萨卡什维利有意愿的话，将欢迎萨卡什维利“回国效力”。泽林斯基是5月20日就任乌克兰总统的，而在5月28日泽林斯基就颁布了恢复萨卡什维利乌克兰国籍的总统令。昨天，也就是5月29日，萨卡什维利已经回到了乌克兰。那么，萨卡什维利究竟是何许人也？为什么说他的“回归”和泽林斯基的反腐有联系呢？让我们一一道来。
萨卡什维利原来是格鲁吉亚总统，他有多个“外号”。比如“跨国政客”,“动乱能手”,“三姓家奴”等等。萨卡什维利1967年生于格鲁吉亚，曾留学过美国，归国后被谢瓦尔德纳泽任命为司法部长，当时年仅30岁。对于其他人来说，他可谓是少年得志了！然而，萨卡什维利却并不满足，当然，也可以说是志不在此。于是，在2003年11月，萨卡什维利发动了“玫瑰革命”，并一举推翻了谢瓦尔德纳泽，在次年的选举中，萨卡什维利赢得了格鲁吉亚总统的职位。
萨卡什维利果然是“初生牛犊不怕虎”，因为阿布哈兹和南奥赛梯闹分离，他不顾俄罗斯在这两个地方有驻军，突然于2008年8月8日发起了进攻。导致了“俄格五日战争”，格鲁吉亚军队遭到了重创，萨卡什维利本人也声誉大跌。在勉强完成第二个总统任期后，萨卡什维利黯然离开了自己的祖国格鲁吉亚，于2013年投奔了他的老同学波罗申科。时任乌克兰总统的波罗申科之所以收留萨卡什维利，一来是基于同学感情，二来也是想利用萨卡什维利的政治斗争套路和他在格鲁吉亚反腐败的经验。三来也是在扩大自己的影响力。所以，波罗申科不仅给了萨卡什维利的乌克兰国籍，还任命萨卡什维利为敖德萨州的州长。未成想，波罗申科和萨卡什维利后来却成为了仇人。
按萨卡什维利自己的说法，反目是因为他反腐反到了波罗申科的头上。于是，两人产生了矛盾。萨卡什维利本来就不是个“安分守己”之人，他曾做过格鲁吉亚的总统，显然，他不能承受波罗申科的颐指气使。于是，萨卡什维利于2016年11月辞去了敖德萨州州长的职务，并组建了自己的新力量运动党，和波罗申科撕破脸干了起来。一怒之下的波罗申科于2017年7月取消了萨卡什维利的乌克兰国籍，并将其驱逐到了波兰。而萨卡什维利绝对不是个善茬，同时也是一个很有鼓动力的政客。他在乌克兰短短的几年时间里就有了庞大的“粉丝团”。他的新力量运动党在乌克兰已经成为一股重要的政治力量。为此，在他被驱逐后，围绕着他又发生了一系列奇葩又搞笑的“闹剧”。
萨卡什维利是2017年7月被波罗申科取消国籍并驱逐到波兰的。但在2017年的9月他又“闯关成功”回到了乌克兰。并引发了一系列“闹剧”。虽然萨卡什维利被驱逐了，但他显然不甘心。于是，2017年9月在他的支持者护卫下，从波乌边境闯关成功。波罗申科自然是不能允许这样的事情发生！于是，萨卡什维利和乌克兰检方及警方怼上了！警方在抓捕过程中，将萨卡什维利逼上屋顶。萨卡什维利警告警方，再逼的话，他就跳下去。双方僵持了很久才将萨卡什维利逮捕。但奇葩的是，当天夜里，萨卡什维利又被支持者从警察局里“抢”了出来。更搞笑的是，在等待法院判决期间，乌克兰法院居然首先判了他个“半监禁”。何为“半监禁”呢？就是萨卡什维利白天是自由的，但一到晚上便哪里也不能去了！原因就是害怕萨卡什维利夜里出去“闹事”。这也从侧面说明萨卡什维利的难缠。2018年2月，萨卡什维利再次被驱逐出乌克兰，又开始了他的再次“政治流浪”。
2018年5月过后，乌克兰大选被提上了议事日程。身在波兰的萨卡什维利又逐渐活跃起来。因为他有自己的政党。新力量运动党毕竟是一股政治力量。新力量运动党虽然人数不多，但几乎个个都是“街头革命”的行家里手。所以，各方力量都想拉拢萨卡什维利。不过，萨卡什维利却有自己的打算，他仅仅是和季莫申科阵营达成了一个非正式“战略同盟”。萨卡什维利此人很有政治嗅觉，在泽林斯基还没有显山露水之时，那时的季莫申科从民调来看正如日中天。但萨卡什维利在和季莫申科的合作中仍然留了一手。因为萨卡什维利凭预感，认为季莫申科并非十拿九稳的人物。去年的11月25日曾发生了俄乌刻赤海峡冲突事情。人们纷纷怀疑波罗申科是为了连任而导演的“苦肉计”，意欲拖延大选。于是，萨卡什维利在波兰向波罗申科隔空喊话，提醒波罗申科抓紧找一名好律师为自己将来辩护。萨卡什维利并断言波罗申科在卸任后必进监狱。由此可见，萨卡什维利对波罗申科的恨意有多浓厚！
从2018年的最后一次民调起，政治素人泽林斯基就异军突起占据了民调第一的位置，此后便一路领先。在季莫申科第一轮投票中被淘汰后，选情便出现了微妙的变化。虽然泽林斯基仍然领先，但其领先优势却并没有转为胜势的把握。于是，“合纵连横”开始了！也就是在这个期间，泽林斯基公开宣布，如果他当选总统的话，将恢复萨卡什维利的乌克兰国籍，并表示，如果萨卡什维利愿意，他完全可以回国效力。背后的原因其实不言自明。那么，泽林斯基恢复萨卡什维利的国籍，并准备启用他的原因和意义何在呢？一，泽林斯基这样做可以给其它政党传递出他讲“信用”的信号，这样也便于他和其它政党合作。二，彰显了泽林斯基是个诚实守信之人，利于他个人威望的提高。三，利用萨卡什维利之口之手展开对波罗申科的“清算”，并正式拉开乌克兰的“反腐大幕”。泽林斯基虽然是喜剧演员出身的政治素人，但他却也是法学院的高才生，肯定不缺政治智慧。泽林斯基作为新上任的总统，如果不加掩饰的对前任总统清算的话，难免会给人以“为了清算而清算”的感觉。而如果对波罗申科的清算由萨卡什维利来动手的话，肯定会稀释波罗申科势力对他恨意。而他将萨卡什维利国籍的恢复，萨卡什维利必然会为他冲锋陷阵。至于萨卡什维利会不会将来也对泽林斯基“反戈一击”的问题，我觉得不会。原因有三。一，泽林斯基是“一张白纸”，他没有什么把柄被人家握着。二，泽林斯基已经明确表态，他不会谋求连任。所以，其它政治势力没必要将泽林斯基视为五年后的威胁。这也体现了泽林斯基的智慧。三，从泽林斯基的行事风格来看，他显然并不是个懦弱之人，如果萨卡什维利有对他不利的动作的话，他很可能会毫不手软的再次驱逐萨卡什维利。综上所述，泽林斯基这个政治素人绝不简单！不可轻视。
